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元件参数资料
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参数目录40370
> AON7900 MOSFET 2N-CH 30V 24A/40A DFN
型号:
AON7900
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 24A/40A DFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
AON7900 PDF
特色产品
AON7900 MOSFET
标准包装
1
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
24A,40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
21 毫欧 @ 8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
710pF @ 15V
功率 - 最大
17W,50W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
8-DFN-EP(3.3x3.3)
包装
标准包装
其它名称
785-1249-6
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